HBM

 

 

 

 

HBM ESD故障的判断方法

 

绝对漏电流
当IC被ESD测试后,其I/O Pin的漏电电流超过1uA(或10uA)。漏电电流会随所加的偏压大小而增加,在测漏电电流时所加的偏压有人用5.5V(VDDX1.1),也有人用7V(VDDX1.4)

相对I/V曲线飘移
当IC被ESD测试后,自I/O Pin看进IC内部的I/V特性曲线漂移量在30%(20%或40%)。

功能测试法
先把功能正常且符合规格的IC的每一支Pin依测试组合打上某一电压准位的ESD测试电压,再拿去测试其功能是否仍然符合原来的规格。


 

 

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